Neo Semiconductor bringt 3D X auf den Markt

Der in den USA ansässige 3D-NAND-Flash-Hersteller Neo Semiconductor bringt seine 3D-X-DRAM-Speicherchips auf den Markt, die angeblich die weltweit ersten 3D-NAND-ähnlichen DRAMs mit deutlich höheren Kapazitäten im Vergleich zu den aktuellen 2D-DRAM-Lösungen sind. Die erste Iteration der 3D-X-DRAM-Technologie kann eine Dichte von 128 GB mit 230 Schichten pro Chip erreichen, 8x höher als aktuelle 2D-DRAM-Chips. Neo Semiconductor glaubt, dass diese Lösung im Vergleich zu anderen 3D-DRAM-Alternativen einfacher skalierbar und kostengünstiger zu implementieren ist, was sie zu einem guten Kandidaten für den Ersatz von 2D-DRAM in naher Zukunft macht.

Der Vorteil der 3D-X-DRAM-Technologie liegt in der Verwendung des innovativen Floating Body Cell (FBC)-Designs, das Daten als elektrische Ladungen mit einem Transistor und ohne Kondensatoren speichert. Im Gegensatz zu anderen 3D-DRAM-Alternativen, die versuchen, kompliziertere neue Designs zu entwickeln, nutzt 3D-X-DRAM die ausgereiften 3D-NAND-Prozesse von heute und erfordert daher nur eine Maske, um die Bitleitungslöcher zu definieren und die Zellstruktur innerhalb der Löcher zu bilden. Dieser Ansatz kann die Produktion, Implementierung und den Übergang von 2D-DRAM erheblich vereinfachen.

Neo Semiconductor hat bereits am 6. April dieses Jahres alle relevanten Patentanmeldungen beim USPAP veröffentlicht. Das Unternehmen ist entschlossen, die Branche für 3D-X-DRAM als notwendige Lösung für den steigenden Bedarf an Hochleistungs- und Hochleistungsspeichern zu drängen, der durch die rasanten Fortschritte in der KI entsteht. Basierend auf Schätzungen von Neo Semiconductor könnte die Speicherkapazität bis 2025 auf 256 GB verdoppelt werden, während Kapazitäten von 1 TB in einem Jahrzehnt angeboten werden könnten. Weitere Informationen werden auf dem Flash Memory Summit am 9. August 2023 veröffentlicht.

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Neo-Halbleiter

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